【图】VMOS功率场效应晶体管光敏继电器设计控制电路电路图维库电子市场网

VMOS功率场效应晶体管光敏继电器设计

出处：fmcok时间：2011-08-30

VMOS功率场效应晶体管光敏继电器设计

　　VMOS场效应管简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高、驱动电流小，还具有耐压高（可耐压1200V）、工作电流大、输出功率高、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。如图所示为VMOS功率场效应晶体管光敏继电器电路图。

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