"MOSFET"是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是"金属氧化物半导体场效应管".它是由金属、氧化物（SiO2或SiN）及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET（Power MOSFET）是指它能输出较大的工作电流（几安到几十安），用于功率输出级的器件。
　　由于市场差异，MOSFET小功率功放选管参数可定为Vgs≈±1V,Vds≈±30V,Id≈2A;gfs≈15~20s,可使用N沟道K214P,P沟道J77或K246/J103,使用双电源±5~±27V均可，输出功率2.5~25W.制作要点为A点电压控制在1.8~2.3V之间，MOSFET尽量断电焊接。