双极结型三极管相当於两个背靠背的二极体 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC .在共发射极电晶体电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由於 VBE 很小，所以基极电流约爲 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA .
　　如果电晶体的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA.在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而电晶体集电极和发射极之间的压降爲VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β，实现了双极电晶体的电流放大作用。
　　金属氧化物半导体场效应三极管（场效应三极管依靠一种极性的载流子（多数载流子）参与导电，所以又称单极型三极管。又因为这种管子是利用电场效应来控制电流的，所以也称为场效应管。场效应管分为两大类：一类称为结型场效应管，另一类有称为绝缘栅场效应管）的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称爲阈值电压 VT .当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将産生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。
　　二、电晶体的命名方法
　　电晶体：常用的有三极管和二极体两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极体以D表示。按制作材料分，电晶体可分爲锗管和矽管两种。