SS8050LT1 NPN晶体管（）的特点的功率消耗 PCM:0.3 W（Tamb = 25℃） 集电极电流 ICM:1.5一 Collector-base电压 V（BR） CBO:40 V 操作和储存交界处的温度范围内 研究Tstg -55℃到+:150℃ Tamb电特性（= 25℃，除非另有说明）
免责声明: 凡注明来源本网的所有作品，均为本网合法拥有版权或有权使用的作品，欢迎转载，注明出处。非本网作品均来自互联网，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。
节省空间的HVArc Guard电容器适用于无源缓冲电路图
日期：2011-01-19
具有可变占空比的脉冲发生器
日期：2011-06-17
2兆赫的频率计数器
日期：2011-06-03
MAX732的电源快速存储器
日期：2011-08-23
高采样和保持电路
日期：2011-10-04
