如图所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS晶体管为"开",而NMOS晶体管"关".当放大器的输入更接近于正电压轨时，NMOS晶体管为"开",而PMOS晶体管为"关"。
　　这种设计拓扑在共模输入范围会存在极大的放大器失调电压差异。在接地电压附近的输入范围，PMOS晶体管的失调误差为主要误差。在正电源附近的区域，NMOS晶体管对主导失调误差。由于放大器的输入通过这两个区域之间，因此两个对均为"开".终结果是，输入失调电压将在两个级之间变化。当 PMOS和NMOS均为"开"时，共模电压区域约为400 mV.这种交叉失真现象会影响放大器的总谐波失真（THD）。如果您以一种非反相结构来配置互补输入放大器，则输入交叉失真就会影响放大器的THD+N性能。例如，在图2中，如果不出现输入过渡区域，则 THD+N等0.0006%.如果THD+N测试包括了放大器的输入交叉失真，则THD+N等于0.004%.您可以利用一种反相结构来避免出现这类放大器交叉失真。