【图】应用金属氧化硅的场效应晶体管电路电源电路电路图维库电子市场网

应用金属氧化硅的场效应晶体管电路

出处：aidsheng时间：2011-07-20

　　常常需要上升率很小的锯齿电压发生器，为了降低上升率，普通晶体管锯齿电压发生器需要一个很大的积分电容器。因为要减少负载和输出晶体管漏电流的影响，所以电容器充电电流必须很大。
　　当其用作拾取器件时，MOSFET有效地消除了负载和漏电流对积分电容器的影响。这就使电容器充电电流大为减小，因而也就减小了积分电容器的值。
　　MOSFET可以设计成源极跟踪器。其源极电压，通常比栅极电压高5~6伏。

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