根据结构的不同，管分为两大类：
　　VMOS管，即垂直导电V形槽MOS管；
　　VDMOS管，即垂直导电双扩散MOS管。
　　它们的结构分别如图1-15（a）、（b） 所示，其中（a）为VVMOS结构剖面图，（b）为VDMOS结构剖面图。下面以VVMOS结构为例，说明一下VMOS管的构成。

　　获得垂直沟道的一种方法是形成穿入硅表面的V形槽，开始时在N+衬底上生成一个N-外延
　　层，在此外延层内进行掺杂颇轻的P型沟道体扩散，随后是N+源区扩散。然后刻蚀出V 形槽，并使它延伸进入到N-外延层内。生长氧化掩盖层。再通过金属化提供栅极及其它所需的连接。包括N+源区与P沟道体之间的连接。
　　按导电沟道划分，VMOS管可分为N沟道型和P沟道型两种，可与双极晶体管的npn型和pnp型相对应。
　　作为一个例子，图1-16 画出N沟道增强型VMOS管的输出特性曲线。从形状上看，它与双极晶体管的输出特性相似。但内含不一样，这是由VMOS管的基本特性决定的。VMOS管输出特性中的每一条曲线是以栅源电压Ugs为参变量画出的，面双极晶体管输出特性的每一条曲线是以基极电流Ib为参变量画出的。