功率变换部分电路图

出处:yf_tech时间:2011-04-06

  IGBT的门极驱动电路密切地关系到其静态和动态特性。门极电路的正偏压UGS、负偏压-UGS和门极电阻RG的大小,对IGBT的通态电压,开关时间,开关损耗,承受短路能力以及dv/dt等参数均有不同程度的影响。
  设计驱动电路的一些注意事项如下:
  1)连线长度应尽量减少与IGBT模块各管脚的连线长度,尤其是门极引线的长度。如果实在无法减少其长度,可以用小磁环或一个小电阻与门极串联。这两个元件应尽量靠近模块门极,它们可以消除寄生震荡。
  2)精心布局器件尽量作到完全对称,连线尽量同长度并且尽量减短加粗,尽可能用多股绞线。
  3)泄放电阻在IGBT的门极与源极之间,应加11kΩ的泄放电阻。
  4)正偏电压UGS的影响当UGS增加时,开通时间缩短,因而开通损耗减少,UGS的增加虽然对减小通态电压和开通损耗有利,但是UGS不能随意增加,当增加到一定程度后,对IGBT的负载短路能力以及dv/dt有不利影响,本电路采用UGS=15V。
  5)负偏电压-UGS的影响负偏电压是很重要的门极驱动条件,它直接影响IGBT的可靠运行。过高的dv/dt会产生较大的位移电流,使门极源极之间的电压上升,并超过IGBT的门极阈值电压,于是产生一个较大的漏极脉冲浪涌电流,过大的漏极浪涌电流会使IGBT发生不可控的擎住现象,为了避免IGBT发生这种误触发,可在门极加反向偏置电压,本电路加-UGS=-12V。
  6)门极电阻的影响门极电阻选用的原则为,在开关损耗不大的情况下,应选用较大的门极电阻,但当门极电阻增加时,IGBT的开通与关断时间增加,进而使每脉冲的开通能耗EON和关断能耗EOFF也增加,所以综合考虑本电路采用51Ω。

功率变换部分电路图

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