EL7516是一个典型的升压芯片，它工作于1.2MHz定频PWM模式，内置1.5A、200mΩ的MOSFET。图1为EL7516的典型应用电路。通过DC／DC升压作用，EL7516可将2.7～5.5V的输入电压变换为12V的恒定输出电压。跟一般的PWM控制芯片一样，其FB引脚通过选定R1、R2的电阻值来设置输出电压。将EL7516的恒压线路改成驱动白光LED的恒电流线路是非常简单的。标准的LED驱动简图如图2所示，只要改变图2中的R2就可以调节通过白光LED的电流了。可根据下面的公式计算R2的值。

　　图1 EL7516的升压应用电路

　　图2 标准的LED驱动简图

　　例如，若白光LED电流ILED要求为300mA，那么R2需要为4.3Ω，如图3所示。图3的电路的缺点在于R2的损耗。R2通过300mA的电流时，电阻的功耗接近0.39W。这样大的功耗不但会影响效率，还需要采用体积比较大的电阻。采用电池供电的电子设各对电路的效率及线路PCB空间要求都比较严格，所以需对如图3所示的电路进行改进，以提高电路的效率。

　　图3 用EL7516驱动4个高亮度白光LED

　　如图4所示电路为在图3的电路的基础上增加了R3和VD3两个元件。但无论电路怎样改动，EL7516都会调节占空比使FB端的电压维持在1.3V。假设VZ1的正向导通压降是0.6V，R2的压降约0.7V，则要保持300mA的白光LED电流，R2应选用2.3Ω，其功耗亦从原来的0.39W降至0.21W。

　　图4 改进电路一

　　如图5所示电路为进一步的改进电路，电路中的TL431为2.5V的基准源。因EL7516会使FB保持在1.3V上，所以通过R4的电流是（2.5V－1.3V）／20kΩ=60μA

　　图5 改进电路二

　　因FB是一高阻抗引脚，假设这60μ的电流流入R5，则其压降为1.2V，剩下的0.1V会由R2来完成（R2选定为0.31Ω）。所以通过白光LED的电流约为0.1／0.39＝255mA，R2的功耗亦大幅降低至
                                                                  0.1×0.255＝26（mW）

　　通过实验，可得出图3与图5的电路的效率比较结果，如表1所示。

　　注：图3中的R2做了微调（阻值大概在5Ω左右），这是为了使LED电流等于255mA，以方便比较。

　　从以上实验可以见到，只要在电路上稍作改动，可大大提高图3电路的工作效率。实验中采用的是5V的输入电压，但在实际的应用中可以用单节锂离子电池供电。EL7516的工作电压为2.3V，所以适用于单节锂离子电池供电。但EL7516内置MOSFET有峰值电流（达到1.3A时，维持1min）保护，如锂离子电池电压降到3V以下，则驱动4个白光LED时有可能触发电流保护。故如需在3V以下工作，应把驱动白光LED数减少为3个。