功率MOSFET的栅极驱动电路选用IR公司的6路集成IC驱动芯片IR2130。该芯片内部设计有过电流、过电压及欠电压保护，封锁和指示网络，使用户可方便地用来保护被驱动的功率MOS FET。IR2130通过内部自举技术控制上桥的3个功率管。在实际系统中，由于自举电容响应速度慢，系统使用隔离的DCˉDC给驱动上桥臂功率MOSFET的浮地电路供电，提供自举电源，避免因自举电容选取误差造成开关管的误关断，提高了系统的可靠性。驱动电路的原理图如图所示。
图 驱动电路示意图
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