基本特点:
①VP-1000语言合成芯片是采用CMOS工艺制造,连续可变斜率增量调制技术(CvSD)
②芯片适合配接静态
存储器SRAM或只读存储器ROM或EPROM。寻址能力为32k×8位。
③采样速率为9.6~128kbps范围内可调。
⑤单一
电源供电,工作电压为直流+(3~6)V。静态工作电流为50tLA。
⑥采用40脚双列直插式封装。
VP-1000引脚图:
VP-1000引脚图
VP-1000内部结构框图
VP-1000的应用电路图
图中接了一片8k x 8的SRAM,在采样频率为10kpbs时能存放6s多的录音信息。Sl为放音
开关,S2为录音开关。VP-1000和已烧制好的存储器相连只做放音的电路如上图所示。