高频开关式功率转换器所采用的开关器件，主要是功率场效应管MOSFET和绝缘栅双极型晶体管IGBT，它们共同的特点是都是电压型控制器件，栅-源或栅-射极之间是绝缘的，不需要静态驱动电流，驱动功率小；其栅-源之间有输人电容，在快速PWM控制时，要求有充电尖峰电流和放电尖峰电流。这就需要对它们的驱动电路进行特殊的设计。

　　由MOSFET和IGBT组成的高频开关式功率转换器，常常是AC／DC开关转换器。其主电路一般由下列环节组成：即输人端EMI滤波器，整流电路、功率因数校正电路、DC／DC PWM转换器、输出端低通滤波器，如图1所示。高频开关式功率转换器的控制电路主要包括两部分：一是PF校正器的控制与驱动电路；二是DC／DC PWM转换器的控制与驱动电路。为了使PWM转换器的输出电压自动稳定，不随工作条件（如输人市电交流电压或负载）或环境条件、参数等的变化而变化，必须采用某种控制方式，使功率开关管的驱动脉冲宽度（占空比）或频率能自动调节。开关转换器的控制模式分为闭环和开环两种，闭环反馈控制常用的有电压型控制和电流型控制（包括电荷控制）两大类。新开发的单周控制等，也是闭环反馈控制。前馈补偿是典型的开环控制，一般不单独应用于开关转换器的控制。