如图所示，是输出10OW的低频MOS FET功率放大器电路。电路的输出功率为100～150W，在输出级与激励级采用功率MOS FET，目的是改善频率特性。用MOS FET（VT5～VT8）构成的电流镜将差动输出（VT1～VT2）变换为单端输出。VT9产生输出晶体管的栅极偏压，用RP1设定该偏压,使无信号时输出晶体管的输出电流约为0.1A。VT10和VT11构成过流保护电路，输出晶体管VT12～VT15的源极接的0．51Ω电阻用于检测输出电流。输出级采用功率MOS FET，当接感性负载时易产生振荡，为此，在其栅极串联的RG选用几十Ω～1kΩ的电阻，R1和C2用于改善感性负载时稳定性，其参数也与振荡有关，因此，要根据需要改变其参数。

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