在如图1所示的功率MOSFET的半桥、全桥电路中，高压侧开关如何变化成为了一个要点。

　　图1 电功率MOSFET组成的输出电路的构成

　　一般的，要驱动高压侧的元件，必需门极一源极间绝缘。如果是低速开关，可用图2所示的由光耦合器构成的专用驱动IC，高压侧的源极端子使高频电压重叠，噪声很弱。

　　图2 由光电耦合器组成的功率MOSFET的驱动电路

　　因此，现实中有很多使用脉冲变压器的绝缘方式，但要想使用脉冲变压器，电路上也要花点功夫。

　　图3是使用脉冲变压器的绝缘驱动电路的例子。这里的脉冲变压器是手工制作的，由于使用变压器的关系，不能进行直流传送，但适用于高速开关用途。

　　图3 使用脉动变压器的绝缘驱动电路

　　原理上，ON时的电流从脉冲变压器供给，功率MOSFET的开关特性被变压器的特性左右；OFF时将PNP晶体管自身门极上的充电电荷进行放电。

　　图4是此电路的开关波形。到门极导通(约4V)时能够高速充电，关闭延迟也很小。

　　图4 绝缘驱动电路的开关特性