【图】瞬态电压抑制二极管的一般结构电路图光敏二极管、三极管电路电路图维库电子市场网

瞬态电压抑制二极管的一般结构电路图

出处：tonymeng时间：2009-09-05

瞬态电压抑制二极管通常采用二极管式的轴向引线封装，如图所示。它的基本单元为芯片，芯片是由半导体硅材料扩散而制成的，芯片有单极型和双极型两种结构。单极型瞬态二极管有一个PN结;双极型瞬态二极管有两个胁结，它们是利用现代半导体制作工艺在同一硅片的正反两个面上制作出的两个背对背的PN结。瞬态电压抑制二极管芯片的PN结经过玻璃纯化保护由引线引出，再由改性环氧树脂封装而成。

瞬态电压抑制二极管的一般结构电路图

图：瞬态电压抑制二极管的一般结构

上一篇：磺酸锂湿敏元件的结构电路图

下一篇：T4S型双向瞬态电压抑制二极管的外形电路图

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品，均为本网合法拥有版权或有权使用的作品，欢迎转载，注明出处。非本网作品均来自互联网，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。