由MOSFET等构成的自激式降压型斩波器电路图

出处:hzcoffee时间:2009-03-09

  如图是由MOSFET等构成的自激式降压型斩波器电路。A1加正反馈进行振荡,其振荡频率由扼流圈L1和正反馈电阻R1决定。当振荡频率高到2OOkHZ时,扼流圈和滤波电容可小型化,输出变动的响应特性也可得到改善。开关元件VT1采用功率MOSFET管,当VT1截止时,扼流圈L1感应的反向电压通过续流二极管VD5供给负载。输出电压通过R2加到A1的同相输入端 ,并与加在其反相输大端的5V基准电压进行比较,A1输出通过VT2控制VT1导通或截止。当输出电压的峰值超过6V时,过电压检测电路动作,使VT1可靠截止。

MOSFET降压型斩波器电路图



  VT1导通时,栅极电压要比28V电源电压高1OV。VT1截止时,28V电源通过VD4、R3对电容C1进行充电。VT1导通,源极电压随之升高,C1释放的电荷通过R4对栅极进行充电而得到足够的栅极电压。C1的容量要为VT1输入电容的10倍,这里选用0.1μF。VD4是用于防止C1电荷泄漏到电源端的二极管,由VT3、C2、R5、VD6、VD7和R6构成软启动电路。在VT3的放大期间,VT1栅极电压逐渐升高而使输出电压慢慢上升,上升到额定输出电压时VT3截止,从而达到软启动的目的。
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