瞬态防护器件是端口的安全气囊，在纳秒至微秒级响应，把过压钳位到安全水平。三类主流器件：TVS二极管：响应ps级，通流中，寿命长，适用静电、快脉冲、信号线。压敏电阻MOV：响应ns级，通流大，寿命中（老化），适用浪涌、电源口。气体放电管GDT：响应μs级，通流极大，寿命长，适用初级浪涌、共模防护。TVS选型关键参数：反向工作电压VRWM（>电路正常工作电压）、钳位电压VC（<被保护器件耐压）、峰值脉冲功率PPPM。注意：TVS结电容在高速信号线上可能构成隐患，需选低电容系列。
图25-1?TVS二极管的箝位特性曲线
说明：TVS二极管在反向击穿区呈现低动态电阻特性，可将过压钳位到设定值。关键参数包括：反向工作电压VRWM（>正常工作电压）、击穿电压VBR、钳位电压VC（<被保护器件耐压）和峰值脉冲功率PPPM。
来源：Toshiba - TVS Characteristics
图25-2压敏电阻MOV的伏安特性
说明：压敏电阻（MOV）的伏安特性呈非线性对称曲线，在阈值电压以下呈高阻态，超过阈值后迅速进入低阻态。MOV的响应时间约ns级，通流能力大，但存在老化问题（多次浪涌后阈值电压漂移）。
图25-3气体放电管GDT的击穿曲线
说明：气体放电管（GDT）在击穿前呈高阻态（>1GΩ），击穿后呈低阻态（<1Ω）。击穿电压由电极间距和填充气体压力决定。GDT的响应时间约μs级，但通流能力极大（可达数十kA），适合初级浪涌防护。
来源：LCSC - GDT Guide
图25-4TVS/MOV/GDT响应速度对比
说明：三类瞬态防护器件的响应速度差异显著：TVS为ps级（快），MOV为ns级，GDT为μs级（慢）。对于ns级快脉冲（如ESD），只有TVS能有效响应；对于μs级浪涌，MOV和GDT更合适。
来源：Viox - Surge Protection Comparison
图25-5低电容TVS在高速信号线的应用
说明：普通TVS的结电容（几十~几百pF）在高速信号线（如USB 3.0、HDMI）上会构成信号完整性隐患。低电容TVS（<1pF）通过串联二极管结构降低等效电容，在保护ESD的同时不影响信号质量。
