场效应晶体管（Field Effect Transistor，缩写为 FET），简称为场效应管。它主要由多数载流子参与导电，因此也被称作单极型晶体管，属于电压控制型半导体器件。场效应管是根据三极管原理开发出的新一代放大元件，具有栅极、漏极、源极 3 个极性。其显著特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的场效应管内阻甚至可以达到几百兆欧，是典型的电压控制型器件。
场效应管的分类 按结构分类：场效应管可分为结型场效应（简称 JFET）和绝缘栅场效应（简称 MOSFET）两大类。
按沟道材料分类：结型和绝缘栅型场效应管又各自分为 N 沟道和 P 沟道两种。
按导电方式分类：可分为耗尽型与增强型。其中，结型场效应管均为耗尽型，而绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。具体来说，场效应晶体管可细分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管，MOS 场效应晶体管又进一步分为 N 沟耗尽型和增强型、P 沟耗尽型和增强型四大类。
场效应管与双极性晶体管的比较 控制方式不同：场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，场效应管是更合适的选择；而当信号电压较低，且允许从信号源取较多电流时，晶体管则更为适用。
载流子导电情况不同：场效应管利用多数载流子导电，而晶体管既利用多数载流子，也利用少数载流子导电。由于少数载流子的浓度对温度、辐射等外界条件十分敏感，所以在环境变化较大的场合，采用场效应管更为合适。
电极对称性与灵活性不同：场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，耗尽型 MOS 管的栅 - 源电压可正可负，这使得场效应管在使用时比晶体管更具灵活性。
工作条件与集成性不同：场效应管能够在很小电流和很低电压的条件下工作，并且其制造工艺可以方便地将多个场效应管集成在一块硅片上，因此在大规模集成电路中得到了广泛应用。
功能多样性不同：场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还能作压控可变线性电阻使用。
导通电阻不同：晶体管导通电阻大，而场效应管导通电阻小，只有几百 mΩ，所以使用场效应管做电子开关的效率比晶体管高。
场效应管使用的注意事项 参数限制：为了安全地使用场效应管，在线路设计中不能超过管子的耗散功率、漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值。一旦超过这些极限值，可能会导致场效应管损坏。
偏置要求：各类型场效应管在使用时，都要严格按照要求的偏置接入电路，遵守场效应管偏置的极性。例如，结型场效应管栅源漏之间是 PN 结，N 沟道管栅极不能加正偏压，P 沟道管栅极不能加负偏压等。
静电防护：MOS 场效应管由于输入阻抗极高，在运输、贮藏中必须将引出脚短路，并用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其不能将 MOS 场效应管放入塑料盒子内，保存时放在金属盒内，同时要注意管子的防潮。
操作安全：为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地。管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接的状态，焊接完后才把短接材料去掉。从元器件架上取下管子时，应以适当的方式确保人体接地，如采用接地环等。如果能采用先进的气热型电烙铁焊接场效应管则更为方便和安全。在未关断电源时，不可以把管插入电路或从电路中拔出。
安装位置：在安装场效应管时，要注意安装位置尽量避免靠近发热元件，为防止管件震动，有必要将管壳体紧固起来。
散热要求：对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过其额定值，以保证器件长期、稳定、可靠地工作。
