在电子电路中，肖特基势垒二极管与 PN 结二极管是两种极为重要的整流器件。它们虽然都具备单向导电性这一基本特性，但在物理机制、电学特性以及应用场景等方面却存在着十分明显的差异。接下来，合科泰将深入为我们讲解两者的区别。
利用金属 — 半导体整流接触特性制成的二极管被称为肖特基势垒二极管，它和 PN 结二极管有着类似的电流 - 电压关系，也就是都具有单向导电性。不过，在参数和应用方面，肖特基势垒二极管有着区别于 PN 结二极管的显著特点。
PN 结正向导通时，主要依靠少数载流子的注入形成积累，随后通过扩散运动来形成电流。这种方式存在电荷存储效应，会对其高频性能产生一定的影响。而肖特基势垒二极管的正向电流主要由多数载流子形成。以金属和 n 型半导体接触为例，当正向导通时，半导体中进入金属的电子会直接形成漂移电流，不会发生积累现象，所以肖特基势垒二极管的高频特性更为出色。
对于相同势垒高度的情况，肖特基二极管的反向饱和电流要比 PN 结的大得多。这一特性使得在同样的使用电流下，肖特基势垒二极管的正向导通电压较低，一般大约为 0.3V 左右。
- 高速集成电路中的应用：以硅高速 TTL 电路为例，将肖特基二极管连接到晶体管的基极与集电极之间，组成钳位晶体管，能够大大提高电路的运行速度。制作肖特基二极管的常用方法是把铝蒸发到 n 型集电区上，然后在 520 - 540℃的真空中或氮气中恒温加热约十分钟，从而形成铝和硅的良好接触。SOD - 123 封装的肖特基二极管 1N5817W 就适用于钳位晶体管，它具有较低的正向压降，正向电压为 0.45V，正向电流可达 1A。
- 微波技术中的应用：例如，掺有浓度约为 5×101?cm?3 的 n 型外延硅衬底与 PtSi 接触，经钝化制成的金属 — 半导体雪崩二极管，能够产生连续的微波振荡，并且可以在大功率的条件下工作。在高频应用中，SOD - 123 封装可减少寄生参数，推荐使用肖特基二极管 1N5818W 型号，其直流反向电压为 30V，正向电流为 1A，在一定频率范围内可能会有较好的表现。
- 其他方面的应用：还可以用金属 — 半导体势垒作为控制栅极，制成肖特基势垒栅场效应晶体管。其中，砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的功率及噪声性能比各种砷化镓晶体管都更为优异。
