光电转换效率是衡量光能转换为电能效率的指标，广泛应用于太阳能电池、光电探测器、光催化等领域。其本质是评估系统将入射光能转化为可用电能的效能。
光电转换效率（η）表示 输出的电能功率 与 入射的光能功率 的比值，公式为：
η=P光输入P电输出×100%其中：
P电输出：器件的输出电功率（如太阳能电池的 Voc×Isc×FF）。
P光输入：入射到器件表面的总光功率（标准测试条件通常为AM1.5G光谱，100mW/cm2）。
光电转换效率的计算依赖以下关键参数：
开路电压（Voc）：光照下器件两端无负载时的电压。
短路电流（Isc）：器件短路时输出的光电流。
填充因子（FF）：实际输出功率与理想功率的比值，反映器件内部损耗：
FF=Voc×IscVmp×Imp（Vmp、Imp为功率点电压和电流）
光电转换效率受多重因素制约，主要包括：
| 因素 | 影响机制 |
|---|---|
| 材料带隙（Eg） | 决定吸收光谱范围，带隙过大会损失低能光子，过小会导致热化损失（如硅Eg≈1.1eV）。 |
| 光吸收率 | 材料对入射光的吸收能力（如钙钛矿材料的高吸光系数优于硅）。 |
| 载流子分离 | 电子-空穴对能否有效分离并传输到电极（依赖内建电场或异质结设计）。 |
| 复合损失 | 载流子在传输过程中被缺陷或界面捕获导致复合（降低Voc和FF）。 |
| 反射/透射损失 | 器件表面反射或未吸收的光子直接透射（可通过减反层优化）。 |
不同光电转换技术的效率差异显著（实验室记录，2023年数据）：
| 技术类型 | 效率范围 | 特点 |
|---|---|---|
| 单晶硅太阳能电池 | 26.8% | 商业化成熟，成本高 |
| 钙钛矿太阳能电池 | 33.7% | 低成本，但稳定性待提升 |
| 砷化镓（GaAs） | 29.1% | 高效率，航天应用 |
| 有机光伏（OPV） | 19.2% | 柔性轻质，效率较低 |
| 光电探测器（PIN） | 70%~90%* | 高响应速度，效率依赖波长（*特定波长下） |
光源条件：标准AM1.5G光谱（模拟太阳光），光强1000W/m2。
温度：25℃（高温会降低硅电池效率）。
面积校准：效率需标注有效光照面积（避免边缘效应误差）。
太阳能电池：效率提升直接降低发电成本（如效率每提升1%，度电成本下降约5%）。
光电探测器：高效率意味着更高信噪比（如红外成像、光通信）。
光催化：效率影响水分解制氢或CO?还原的可行性。
多结电池：叠层设计吸收更宽光谱（如钙钛矿/硅叠层效率超33%）。
钝化技术：减少表面复合（如TOPCon电池的隧穿氧化层）。
光子管理：纳米结构增强光捕获（如黑硅、光栅结构）。
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