什么是DRAM？
内存是计算机操作的基础。与CPU结合使用时，可以运行一组指令（程序）和存储工作数据的能力。随机访问内存（RAM）是一种众所周知的内存类型，由于其能够访问记忆中的任何位置，并大致相同的时间延迟。
动态随机访问存储器或DRAM是一种特定类型的随机访问存储器，可以以较低的成本允许更高的密度。笔记本电脑和台式机中发现的内存模块使用DRAM。
DRAM与SRAM
将来的文章可能会讨论其他类型的记忆，例如SRAM，MRAM和FLASH。简而言之，在DRAM代表 动态 随机访问内存的地方，SRAM代表 静态 随机访问记忆。的区别是DRAM利用电容器（正如我们在本文稍后讨论的那样），尽管SRAM也没有，尽管也有不同的考虑，例如不同的处理，不同的速度和开发人员的成本不同。
DRAM如何工作？
Robert Dennard于1966年在IBM发明，DRAM的工作方式与其他类型的记忆差异很大。 DRAM中的基本存储单元由两个元素组成：晶体管和一个电容器。
当需要放入记忆中时，晶体管将用于充电或排放电容器。带电的电容器代表逻辑高或“ 1”，而放电电容器表示逻辑低或“ 0”。充电/放电是通过文字线和位线完成的，如图1所示。
图1。 在DRAM中，将其作为电容器上的存在或不存在电荷存储在读取或写入期间，文字线变高，晶体管将电容器连接到位线。位点上的任何值（'1'或'0'）从电容器中存储或检索。
每个电容器上存储的电荷太小，无法直接读取，而是由称为“感觉放大器”的电路测量。感官放大器检测到电荷的分钟差异，并输出相应的逻辑水平。从比特线读取的行为迫使电荷从电容器流出。因此，在DRAM中，读取具有破坏性。为了解决这个问题，完成了一个称为预先进行的操作，以使从位线读取的值重新读回电容器。
同样有问题的是，电容器随着时间的流逝而泄漏充电。因此，要维护存储在内存中的数据，必须定期对电容器进行刷新。令人耳目一新的作品就像阅读一样，确保数据永远不会丢失。这是DRAM从中获得“动态”绰号的地方 - DRAM电池上的电荷经常动态刷新。将其与SRAM（静态RAM）保留状态而无需刷新的SRAM（静态RAM）对比。
DRAM如何组织？
DRAM可以取决于应用程序。图2显示了一个DIMM（双线内存模块），该模块包含多个车载DRAM芯片。
该DIMM包含1 GB的内存，但请注意贴纸上打印的“ 2RX8”。 2R表示该模块为等级2，而X8（发音为“八个”）表示来自每个DRAM芯片的数据的输出宽度。等级是单独寻址的一组DRAM。在这种情况下，一个是四个DRAM芯片。由于总共有八个（前/后部），因此我们有2个等级。
DRAM模块的等级是DIMM中组织的别。在此之下，每个芯片都会组织成许多包含行和列的存储器阵列。图3显示了有四个银行的DRAM芯片。
图3。 与四个银行一起的DRAM芯片
每个银行独立于其他银行运营。这意味着可以在一家银行上完成阅读，写作和预处理，而不会影响另一个银行。
等级，银行，行和专栏
如前所述，DRAM的是一组单独解决的DRAM芯片。每个DRAM芯片都进一步组织到包含一组内存阵列的许多银行中。每个银行的内存阵列数量等于输出宽度的大小。因此，在X4 DRAM芯片中，内部银行每个都有四个内存阵列。图4显示了单个X4银行的示例。
图4。 由解码器，感官放大器和内存数组组成的X4银行灰色部分是设计为行和列的网格的内存阵列。一组解码器用于访问行和列，选择内存数组中的一个相交。正是在此交叉点，一个小电容器存储代表所访问数据的电荷。
