在这种情况下,我们使用一个小型电池振荡器(基于 LTC6907),它连接到 Mosfet 的漏极,从而提供测量所需的共模电压变化。该振荡器板具有 SMB 输出,但我们将把电缆直接焊接到板上以进行此测试。差分测量是振荡器的输出,即 2V 电平信号,它与 Mosfet 的切换不同步。首先,我们使用与之前相同的 4 厘米长的电线测量此信号。图 2 显示了原理图和下降的漏极电压(7ns 内 200V)以及振荡器输出。示波器设置为持久模式,以便可以观察到多次扫描。在 CH1 切换时,CH2 出现巨大的失真,那么发生了什么?光纤隔离探头应该可以消除共模电压的贡献,不是吗?
使用长度为 1cm 而不是 4cm 的导线进行相同测量会带来一些改进,但失真仍然太大。因此,我们可以使用振荡器中的输出 SMB 连接器,并将振荡器直接连接到探头。这可以实现的失真,如图 3 所示。再次将示波器设置为持久模式,以便可以观察到多个切换。该结果与光学探头的 CMRR 非常接近:200V 7ns 的基频为 50MHz,该频率下的 CMRR 约为 67dB。200V 的衰减为 67dB,结果为 90mV。
使用英飞凌 GaN 评估板在高压侧驱动器(型号 EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN)上进行快速测量。该板使用一对 EiceDRIVER (1EDF5673K) 栅极驱动器来驱动 GaN 晶体管 (IGOT60R070D1)。使用电阻负载来故意提高共模的开关速度。测量结果符合预期。开关转换时的尖峰不是由于探头的 CMRR 限制,而是由于高压侧晶体管中的 Crss 和 Ciss 产生的分压器。请注意,同轴连接使这种快速测量不受振铃影响,并且更加准确。
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