它将 1kV 硅 IGBT 和 1.2kV 碳化硅二极管结合在该公司的 F5BP 封装中。
该器件名为 NXH500B100H7F5SHG，可处理高达 210A 的连续集电极电流（630A 脉冲）（Tj = 175°C）。功耗为 305W。
Onsemi NXH500B100H7F5SHG IGBT升压模块F5BP封装该公司表示，为了减少杂散电感和热阻，内部采用了直接粘合的铜基板和铜底板。
IGBT 至外壳的热阻为 0.198°C/W，如果在接口处涂上导热油脂，芯片至散热器的热阻可达到 0.263°C/W。SiC 二极管芯片的热导率分别为 0.316°C/W 和 0.405°C/W。
