速度:RAM的读取和写入速度通常比ROM快,因为RAM采用随机存取的方式,可以迅速找到并访问存储的任何数据。
SRAM
SRAM的特点是工作速度快,只要电源不撤除,写入SRAM的数据就不会消失,不需要刷新电路,而且在高频率操作时性能较好。然而,SRAM也有其缺点,集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,只适用于要求读写速度快、容量不太大的场合。
SRAM的每一个存储位都存储在具有四个晶体管的电路单元里,这个电路单元具有两个稳定的状态,可以用来表示0和1。由于这种稳定性,SRAM不需要刷新电路,因此它比DRAM更快。
SRAM主要用于高速缓冲存储器(Cache)以及用作计算机、服务器、路由器的高速缓冲存储器。SRAM的高速访问时间(通常是几个纳秒)使其成为许多应用的理想选择,尤其是那些需要快速、频繁访问数据的场合。
DRAM
DRAM的存取速度较慢,但存储容量大,价格较低,因此在计算机中被广泛用作主存(即内存)。当需要读取或写入数据时,CPU会发送指令到DRAM控制器,控制器再对DRAM进行相应的操作。由于DRAM需要刷新,因此它的操作比SRAM更复杂一些。
DRAM的发展经历了多个阶段,包括SDRAM、DDR SDRAM、LPDDR、DDR2、DDR3、DDR4等。这些技术不断改进,提高了DRAM的存取速度、降低了功耗,并增加了存储容量。
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