开关电源中“黑箱”的考虑

时间:2024-04-10

  在初设计阶段,首先要考虑开关电源的一些主要参数,这有助于设计者确 定自己所选的拓扑是否正确,也便于提前预定实验板所需的元器件。同时可以知 道接下来的设计所需的一些非常重 要的参数。关于如何对“黑箱”进 行估计,设计者只要知道设计指标 中的一些外特性参数就可以了。接 下来就把要设计的电源当成一个黑 箱看待,在这个黑箱里,只定义输 入和输出(见图3-17)。

  下面就是一些参数估计:
  1.输出功率
  尸。ut =〉: ( Kut (m) ?。ut (m))
  2.输入功率
  p
  P ^ out
  111 _ 7-t
  式中‘——估计的开关电源效率。
  3.平均输入电流
  ^in(avHnom) = 7/~(3 _ 11)
  ^ inCnom)
  式中,下角标“nom”表示额定值。
  在输入电压时,就可以解出的平均输入电流。设计者根据这个值决 定变压器绕组或电感中的导线尺寸。
  4.输入峰值电流
  这个参数完全是由事先选定的拓扑决定的。
  bp
  /Pk = y^-0-12)
  V in (min)
  式中,A: = 1.4 0(寸于Buck电路、推挽电路和全桥电路)。
  & = 2.8 (X寸于半桥电路和正激式电路)。
  5.5 (对于 Boost,Buck-Boost 和反激式电路)。
  峰值电流的确定有助于反激式电感和变压器的设计,对于正激式电路,电感 和变压器的设计这时还无法确定。
  5.选择功率开关管和整流电路
  每一种拓扑都可以估计出开关管和整流电路上的电压、电流应力,这些估计 有90%的可信度。设计过程中,可以在这个阶段选好开关管,从而节约宝贵的 时间,以避免在需要时要等待。表3-2的公式实际上可能有些保守,但应用中还
是可以根据这些公式计算的。
  表3-2估计功率半导体器件重要参数的值
  拓 扑双极型功半开关MOSFET功申.丌关整流器
  ^I)S$/i)h
  Buck电路^outitVi?Auit
  Boosl Hi 路t7〇?2/\,丨^out2POIJlV;utAult
  ;,in (mill)ill (min)
  Buck-BoosL 电路^in _ Kxil2Pwt^in _ ^oul2Pout^ia _ ^oul■^oul
  I in (min)^in Qniti)
  反激式屯路1 - 7 Kin(,lwx)^in (min)1 - 51 ^丨(mHX)2Poul 1?i"(…i")^ in if
  单管爪激式电路2V'in2I'm1.5/。3V;utit
  ;,in (mill)ill (min)
  推挽式屯路2 Finl-2Fwt I in (min)2Fml-2Fllllf ^in Qniti)■^oul
  半桥电路2P?t ^in (min)n,2P〇ut 1?i"(…i")2 V;,,^ in if
  全桥电路41-2P,h1(2V;utit
  卩 in (min)^in (miix)
  6.估计器件的损耗(这项是可选的)
  PWM开关电源各个部分的相应损耗有些足可以根据经验事先进行佔计。损 耗的比例3然也受设计者的设计方法所影响,在这个阶段,我们想耍得到的只是 一个比较接近的估计值。表3-3给出了各个主要拓扑的典型效率和丌关管到整流 输出各部分损耗rV总损耗的H分比。
  表3-3各种拓扑“黑箱估计”的损耗
  拓 扑儿关类耶整休佔汁 效率(%)估计各部分损耗占总损耗的1分比P CO
  功率j h关 和驱动(%.)输出核 流器(%)磁性元件 (%)九:他 (%)
  双极型MOS
  Buck电路X72424855
  X76355555
  Boosl?电路X74553555
  X77484255
  Buck-BoosL 电路X74553555
  X77484255
  反激式屯路X75444655
  X78335755
  爪激式电路X74444655
  X77335755
  推挽式屯路X69504055
  X72405055
  半桥电路X69484255
  X72405055
  全桥电路X65504055
  X70405055
  如果要确定电源各部分相应的损耗,可以W下面公式计算:
  尸“:k丨)二尸m (l - 7j) P (%)(3-13)
  式屮——设汁部分损耗占电源总损耗的百分比的典型估计值(见表3-3)。
  如果拓扑中有多个功率开关,那么i\ssUl)要乘以相应的系数:对于推挽式 电路和半桥电路,该系数为0.5 (50%);对全桥电路,该系数为0.25 (25%)。
  在多路输1丨丨的开关电源屮,佔计每个输丨I1,整流部分的损耗,要根据这部分输 丨丨丨功率占总功率的比例来进行佔计,可依据式(3-14)计算。
  P山产 Pm (l-Tj)(3-14)
  OUl.
  这些损耗的数据可用来决记要采用何种相应的平.导休封装。更确切地说,用 这呰数据来判断半导体器件是杏要贴到散热片上去,也可以估汁所需散热片的大 小。
  整个设计程序中,黑筘的估计部分到这里就完全结束了。我们可以看出,对 这些参数进行估计,可以得到一些非常有用的倍息。
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