什么是DRAM？DRAM存储单元原理

　　动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种内存芯片，用于计算机系统中作为主存储器使用。它是一种易失性存储器，意味着当断电时，其中的数据会丢失。DRAM通常以集成电路芯片的形式存在，用于暂时存储处理器需要的数据和指令。
　　DRAM的特点包括：
　　动态性：DRAM存储单元由一个电容和一个存储器单元组成，需要定期刷新以保持数据的完整性。这与静态随机存取存储器（SRAM）不同，后者不需要刷新操作。
　　密度高：相对于SRAM，DRAM的存储密度更高，因此可以在较小的芯片面积上存储更多的数据。
　　成本低：由于其设计简单且存储密度高，DRAM的生产成本相对较低，这使得它成为了大容量主存储器的理想选择。
　　速度较慢：与SRAM相比，DRAM的访问速度较慢，这意味着它在缓存和高速存储器方面的性能不及SRAM。

　　广泛应用：DRAM被广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备和其他计算机系统中，用于存储正在运行的程序和数据。

　　DRAM（Dynamic Random Access Memory）的存储单元是由一个电容和一个存储器单元组成的。下面是DRAM存储单元的工作原理：
　　电容：DRAM存储单元中的电容负责存储数据。当电容充电时，代表存储的数值为1；当电容放电时，代表存储的数值为0。
　　存储器单元：存储器单元是用于读取和写入电容中存储的数据的逻辑电路。
　　刷新操作：由于电容会逐渐失去电荷，因此在DRAM中需要定期进行刷新操作，以重新充电电容，以防止数据丢失。
　　读写操作：当需要对存储单元进行读取或写入操作时，控制电路会根据地址线选择特定的存储单元，并通过相应的电路进行数据的读取或写入。