本文讨论霍尔效应集成电路如何提供非侵入式电流传感技术以及对高电流水平的安全、隔离检测，而不消耗与电阻电流传感方法相关的大量功率浪费（以及由此产生的热量）。此外，霍尔效应电流传感提供载流导体的电气隔离；因此，为电路、操作员等提供一个安全的环境。
霍尔效应
传感器 IC 的电流感应应用仍在不断增加；变得更加多样化；随着其他设计师努力保护系统、创建更可靠的“防弹”设备并解决任何安全问题，我们的产品也随之扩展和发展。
背景及简介
霍尔效应的发现起源于 1879 年；然而，Edwin H. Hall 发现的任何有意义的应用都需要等待 20 世纪 60 年代末首次出现的半导体集成。随后，进一步的进步（特别是 20 世纪 90 年代的进步）进一步发展，功能集成更加全面，加上一系列不断扩展的专用
霍尔传感器 IC 类型。然而，磁传感器
电子器件的不断进步不断增加对用于感测/检测运动、方向、位置和测量/监测电流的低成本、可靠和“非接触”霍尔效应电路的需求。
霍尔效应传感器 IC（尤其是比例线性类型）是用于“开环”电流感应设计的出色器件。然而，可实现的操作范围、准确度和精密度、频率响应等存在限制。由于许多潜在用户不知道和/或忽视了使用霍尔效应 IC 的电流感测技术的优点或缺点，因此本文致力于对“非侵入式”电流感测的基本技术进行全面讨论现已推出硅霍尔效应器件 (HED)。
如果不使用开槽环形
线圈来集中（和聚焦）感应磁通场，大多数霍尔效应电流感应要求都不会产生足够的磁场。低至中等电流（<≈ 15 安培）需要在开槽环形线圈（磁芯）上缠绕足够的匝数，以感应可用的磁通强度并产生合适的信号电压。较高的电流水平（>15 至 20 安培）会产生磁场强度，使载流导体直接穿过环形线圈的中心（在这些较高的电流下无需匝数）。
需要使用线性霍尔效应传感器 IC 的宽（或连续）电流范围要求的设计。然而，数字 HED 可以适应过流保护和/或故障检测设计。这篇有关用于感测交流和直流电流的 HED 的论文涵盖了电流感测技术要点、器件参数、温度稳定性以及霍尔效应电流感测的其他相关问题的示例和细节。
