高压电源转换的电源效率

    电力电子技术的发展推动了电力转换效率和功率密度的提高。通过提高开关速度来减小无源元件的尺寸，从而提高功率密度。
    功率转换效率和功率密度的提高
    电力电子技术的发展推动了功率转换效率和功率密度的提高。通过提高开关速度来减小无源元件的尺寸，从而提高功率密度。
    封装的进步使得低寄生器件的开发成为可能，这对于高频功率转换至关重要。更好的热接口允许组件在更低的温度下运行，这也使得能够在更高的频率下运行，从而缩小尺寸。
    效率的提高允许使用小型散热器，从而减小电力电子解决方案的尺寸和成本。软开关等技术有助于减轻频率相关损耗，进一步提高功率密度。
    德州仪器 (TI) 解决方案概述
    德州仪器 (TI) 提供多种高压开关控制器解决方案，包括 适用于 MOSFET、IGBT、SiC 晶体管和 GaNFET 的 DC/DC 转换器、AC/DC 转换器。德州仪器 (TI) 产品组合包括汽车和 应用解决方案，其中包括.
    高电压、中低功率反激式控制器

    UCC28630 是一款高功率反激式控制器，设计用于运行高达 700V 的输入电压。它采用 4.9mm x 3.9mm SOIC(7) 封装，具有 700V 启动偏置电路、1A/2A 栅极驱动器、轻负载效率和低待机功耗 (30mW)。其开关频率通常为 120kHz。它非常适合 5-100W AC/DC 电源。

  

   

 UCC28910 是一款具有集成 12 欧姆功率 MOSFET 的 700V 反激式开关控制器。它采用小型 5mm x6.2mm SOIC(7) 封装。其开关频率为115kHz。非常适合5-100W AC/DC 电源。它的待机功耗较低。

    GaNFET 和 SiC 驱动器

    GaNFET 技术为功率晶体管提供了更好的开关特性和更低的 RDS(on)，比常规硅 MOSFET 更适合高频、高压开关。使用 GaNFET 可以减小功率转换解决方案尺寸并提高效率。GaNFET 可以处理更小的脉冲宽度，这使得高输入/输出电压比在非隔离电源转换器中更加实用。

   

 

   Texas Instruments 提供 GaNFET 驱动解决方案，例如 UCC27611 4A/6A 高速 5V 驱动优化单栅极驱动器和 LM5113 100V 5A 半桥 GaNFET 驱动器，均驱动增强型 GaNFET。使用这些栅极驱动器可以轻松地将 GaNFET 集成到高频功率转换设计中。UCC27611 采用小型 2mm x 2mm 封装，指定工作温度范围为 -40C 至 140C。LM5113 采用小型 2mm x 2mm 和 4mm x 4m 封装，可驱动高达 100V 输入轨的高侧 MOSFET。

    这 是一款适用于 UCC2753DBV SiC MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器的隔离式栅极驱动评估板。UCC2753DBV 采用小型 sot23-6 封装，可拉电流 2.5A，灌电流 5A，能够承受 1800pF 负载，上升时间为 15ns，下降时间为 7ns。