正常偏置的共源配置 N 沟道 JFET 的标准布置和连接

   

   该图显示了在有源区域使用时具有正常偏置的共源配置 N 沟道 JFET 的标准布置和连接。这里，栅源电压 V GS等于栅极电源或输入电压 V G，它设置栅极和源极之间的反向偏置，而 V DD提供漏源电压和来自电源的电流漏极至源极。进入 JFET 漏极端子的电流标记为 I D。

    漏极-源极电压 V DS是 JFET 的正向压降，并且是漏极电流 I D的函数（对于 V GS的不同栅极-源极值）。当 V DS处于值时，JFET 的导电沟道完全打开，并且 I D处于值，称为漏源饱和电流 I D(sat)或简称 I DSS。
    当 V DS处于值时，JFET 的导电沟道完全闭合（夹断），因此 I D随着漏极至源极电压减小至零，V DS等于漏极电源电压 V DD。JFET 沟道停止导通时的栅极电压 V GS称为栅极截止电压 V GS(off)。
    N 沟道 JFET 的这种共源偏置布置决定了在没有任何输入信号 V IN的情况下 JFET 的稳态操作，因为 V GS和 I D是稳态量，即JFET 的静态。
    因此，对于共源极 JFET，栅极-源极电压 V GS控制有多少电流流过 JFET 漏极和源极之间的导电沟道，从而使 JFET 成为电压控制器件，因为其输入电压控制其沟道电流。因此，我们可以通过绘制任何给定 JFET 器件的I D与 V GS的关系来绘制一组输出特性曲线。