半导体原理图符号

半导体符号用于将各种电子设备和组件表示为象形图。典型的电气或电子符号由轮廓和一个或多个识别符号组成。基于罗马和希腊字母的字母符号、数字和下标通常与半导体符号一起使用，以识别它们与常规电流相关的不同输入或输出端子。

半导体符号的形状和轮廓用于准确表示它们的操作和电流流动方向，以连接到正确的电极，从而使它们能够连接在一起。半导体器件在电路板上的物理布局和定位通常与电路图大不相同。

电路图上使用的图形符号广泛多样，其中许多符号因国家/地区而异。如今，半导体符号正在国际标准化，二极管、晶体管和电力电子设备的符号采用通用设计。下面列出的符号符合国际电工委员会 (IEC) 和英国标准协会 (BSI) 的建议。

二极管的示意性半导体符号

有许多不同类型的半导体器件可以归类为二极管，并且对于这些类型中的大多数，它们具有不同的电路符号。这里包括的一些主要二极管类型是 pn 结、肖特基、光电二极管和发光二极管。这些二极管类型中的每一种的示意性半导体符号都使用相同的基本二极管格式，但进行了修改以指示它们的不同功能。

二极管是双端子器件，由两种半导体材料熔合在一起形成一个pn 结，其中“n”型材料为阴极，“p”型材料为阳极。通常，二极管阴极引线由彩色带标识。

二极管的基本原理图符号看起来像一个箭头，指向常规电流从阳极(A) 端子流向阴极(K) 端子的方向。二极管的原理图符号还表明，如果正向偏置，电流将流过箭头方向。但是，如果电压的极性反转，则没有电流流过。

齐纳二极管和肖特基二极管的示意性半导体符号与基本 pn 结二极管的符号相似，只是表示符号的阴极 (K) 端子的线在两端弯曲。发光二极管 (LED) 的示意图符号显示了正向偏置时从其辐射的较小箭头表示的光能。

双极结型晶体管的示意性半导体符号

用于双极结晶体管或 BJT 的原理图符号表示两种主要类型，NPN（负-正-负）晶体管和 PNP（正-负-正）晶体管。带有圆圈的双极晶体管符号表示分立器件，而没有圆圈的则表示其在内部电路中使用。例如，逻辑门和数字 IC。

双极型晶体管是三端器件，双极型晶体管的原理图符号上标有字母“C”、“B”和“E”，分别对应于集电极、基极和发射极。常规电流从发射极端子流过双极晶体管到集电极端子，而基极端子控制电流量。通常，这些标识字母不用于电路图中，但为了清楚起见包含在此处。

其他类型的双极晶体管电路符号包括达林顿晶体管，其中两个双极晶体管连接在一起形成一个独立的器件，以及使用光能而不是基极端子运行的光电晶体管。

场效应晶体管的原理图符号

场效应晶体管或 FET 是 3 端子器件，有多种不同类型，每种都有自己的半导体符号来描述其操作。用于表示场效应晶体管的原理图符号用字母“D”、“G”和“S”分别对应于Drain、Gate和Source端子。

场效应晶体管的两种主要类型是：结型 FET 或 JFET，以及绝缘栅 FET 或 IGFET。结型 FET 有一个符号，该符号使用箭头表示通过其二极管结的常规电流方向。绝缘栅极 FET由于其金属、氧化物和硅结构形式而通常称为MOSFET ，其示意图符号显示栅极与漏源沟道绝缘。JFET 和 IGFET (MOSFET) 都有 N 沟道或 P 沟道类型。

功率器件的示意性半导体符号

功率半导体器件是一系列用于电路中转换、控制或开关电能的电子器件。这些半导体器件控制的电功率通常远大于上述双极型晶体管或场效应晶体管控制的电功率。

晶闸管和双向晶闸管等功率电子半导体器件是电压驱动元件，用于切换和控制交流电源，用于可控整流器、电源或交流电机驱动控制器。电力电子设备以及上面详述的组件正在能源、电力、工业和运输应用中找到新的应用，例如可再生能源技术、电池充电系统、能量存储、太阳能逆变器、电动汽车、功率转换器、HVAC 等等.

与数字或小型电路电子系统相比，电力电子电路和应用在效率、尺寸和功率处理能力方面有所不同，硅控整流器、栅极关断整流器、双向晶闸管和双向晶闸管等组件是关键组件与他们的原理图符号。