温度容量特性
图 1. 温度-容量变化示例直流偏置-电容特性
图 2. X7R, R图高介电陶瓷电容器不应忘记的一个重要特性是电容会根据施加的电压而变化,因此电容值不能按表面值计算。右图显示了由于直流偏压引起的电容变化的示例。在图 2 的示例中,10% 的容量在 50% 额定值时损失,一半容量在 100% 额定值时损失。
在图 3 的示例中,一半的容量在 20% 额定值时丢失,90% 在 100% 额定值时丢失。储存的能量也远低于理想值。这与负载时触底的悬架相同,您可以看到它没有起到电容器的作用。毕竟是积丹式的电容器…… 已经超过了误差水平和温度特性,这是一个荒谬的故事,但这就是陶瓷控制器。
如果在不了解这一点的情况下更换电解电容器,您可能会说“纹波特性变差了!” 大容量的陶瓷电容一般都具有X5R的特性,考虑到这一点,需要通过数据表来确认特性。当电容值有意义时,使用不触底的电压是安全的,X7R 为额定值的 50 至 60%,X5R 为 10% 或更低。当然,如果在音频电路中使用这样的非线性元件,就会产生所谓的“深沉的声音”。所以,由于非线性我已经失败了,所以我会介绍一个。在过去,快速组装的微机板和电源线使用电解电容(100μF)+陶瓷电容(100nF)是常识。现在,当我将电源设置为 5V 并连接夹子时,那一刻电流很大......嗯???我不知道原因,所以当我用示波器尝试时,观察到一个意想不到的波形。引线的电感与陶瓷电容形成谐振电路,在接通电源的瞬间电压瞬间跳升至12V左右。失败失败:-)
图 4. 测试电路
图 5.陶瓷 (1μF10V(Y5V))
图 6.薄膜 (1μF50V)免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。