图2 SRAM SRAM中文名称为：静态随机访问存储器，它的静态，是相对于DRAM而言的，表示在通电时不需要动态刷新就可以持续保存数据，但掉电后数据还是会消失。图2为一个6T SRAM存储单元的电路图，图中M1~M4组成了两个交叉耦合的反相器对，用来锁存数据。当读数据时，字线WL变高使得M5和M6导通，将数据加载到位线上。当写入数据时，同样WL变高使得M5和M6导通，但此时位线被外部写入的数据驱动，外部数据的驱动能力足够强以使得反相器对锁存的数据被改变，新的数据被SRAM存储。 对比寄存器，SRAM是一种更为精简且专用的锁存数据存储结构，存储密度也更高。SRAM通常需要使用fab厂商提供的生成工具产生(Memory Compiler)。 DRAM
图3 DRAM DRAM中文名称为：动态随机访问存储器，如图3所示，数据被存储在小电容C上，由于每次读取都会让电容上的电荷泄露一些，且即使不读取，电容上的电荷也会慢慢泄露，因此DRAM需要动态刷新来保持数据，这也是DRAM名字的由来。这样的实现方式虽然可以让它单元面积比SRAM小很多，但动态刷新使得其比SRAM浪费更多的空闲功耗。DRAM写入时通过位线对电容充放电即可。 熔丝OTP 上述三种存储单元均为掉电易失型存储，对芯片中的一些临时数据进行储存。但是，芯片中一些数据，例如修调配置数据等，需要在出厂时写入且一直保存，上面三种存储单元显然不具备这样的功能。存储这样的数据需要采用掉电不易失存储器，比如MTP,OTP,Flash等等，本文简单介绍一下由熔丝组成的OTP。
