纳芯微单通道隔离式栅极
驱动器两款新品NSi66x1A和NSi6601M双双发布，均适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等
功率管，兼具车规（满足AEC-Q100标准）和工规两种等级，广泛适用于新能源汽车、空调、电源、光伏等应用场景。
NSi66x1A--带保护功能的智能隔离单管驱动（NSI6611A/NSI6651A）
产品特性
超强驱动能力，可以提供10A的拉灌电流能力，支持轨到轨输出和分离输出
完善的保护功能：DESAT短路保护、故障软关断、弥勒钳位、欠压保护；短路故障或欠压发生时，还能通过单独的引脚进行反馈
输入与输出端均采用双电容增强隔离技术，外加纳芯微Adaptive OOK编码技术，共模瞬变抗扰度（CMTI）高达150kV/μs，提高了系统的鲁棒性
驱动器侧电源电压VCC2为32V，输入侧VCC1为3V至5.5V电源电压供电；VCC1和VCC2都具有欠压保护（UVLO）
极低的传输延时，低至80ns
NSi6611支持ASC特色的功能，可在紧急情况下强制输出为高
工作环境温度：-40℃ ~ 125℃
符合 RoHS 标准的封装类型：SOW16
功能框图
NSi66x1A 超强驱动能力，有效节约外围电路
在大功率的应用中，用户一般会选择如IGBT和SiC这样的大功率管子，因而功率管的Qg也会更大，对产品驱动电流能力的要求变得更高了。
NSi66x1A能够提供10A的拉罐电流能力，比起传统方案，不需要额外的Buffer 电路，即可直接驱动大功率的管子。节省了Buffer电路的费用和PCB的体积，同时还不需要额外的电路做匹配，增加了系统的稳定性。此外，NSi66x1A内部集成弥勒钳位，支持分离输出，使用简单，外围器件更少，凸显性价比。
使用NSi66x1A方案应用电路图
大功率应用中传统方案驱动电路图
NSi6611A 支持ASC功能
什么是ASC
ASC即主动短路（Active short circuit，简称ASC），是电机系统的一种安全保护机制，是将电机的UVW三相短路（通过 对功率管的
开关，实现上三桥臂短路或下三桥臂短路）。
NSi6611A支持ASC功能，可以在电机处于转速过高，或者突然发生制动等其他异常时，通过三相短路的方式，让电机内耗电流，降低电机产生的反电动势，使其不超过高压
电池提供的母线电压，确保动力电池、母线电容及其它高压器件不被损坏，从而保护电机和电气系统。
NSi6611A pin1 引脚便是ASC 功能。如下ASC时序图可以看到，即使在input是低电平，或者VCC1欠压情况下，当pin1引脚电平是高电平时，ASC功能就会使能，OUT会强制输出为高，打开功率管。当然，如果用户不需要ASC 功能，则可以将NSi6611A pin1 引脚悬空，或者下拉到GND2。
NSi6611A ASC 时序图
详解
为了实现系统的ASC功能，UVW三相下桥臂的管子
驱动IC可以使用三颗NSi6611A，将其pin1 连接到一起，连接点命名为"ASC Trigger"，默认该点电压是低电平。当系统检测到故障时，如母线电压过高时，外部触发信号使"ASC Trigger"为高电平，这时三颗NSi6611会强制打开 UVW三相下桥臂的管子，实现电机下三桥臂短路，实现ASC功能。NSi6611A被外部触发"ASC Trigger"为高电平到芯片OUT 强制输出为高，时间为0.66us (tASC_r), 响应迅速，及时保护系统。
NSi6601M--带弥勒钳位功能的高可靠性隔离单管驱动
产品特性
具有很强的驱动能力，可提供5A/5A的拉灌电流峰值电流
集成弥勒钳位功能，钳位电流高达5A，有效抑制因为弥勒效应致使管子误开通，确保了系统的可靠性
超高的共模抗扰能力：150 kV/us
驱动器侧电源电压VCC2为32V，输入侧VCC1为3.1V至17V电源电压供电；VCC1和VCC2都具有欠压保护（UVLO）
符合 RoHS 标准的封装类型：SOP8，SOW8
工作环境温度：-40℃ ~ 125℃
符合 RoHS 标准的封装类型：SOW16
功能框图
NSi6601M：有效解决高压高频系统中高dv/dt
随着第三代半导体SiC MOSFET的兴起，更高压、更高频、更小体积、更大功率的系统正成为新的发展趋势。然而在高压高频的应用中系统在运行过程中却总是容易因为dv/dt过高，导致功率管子被烧坏。NSi6601M则能很好解决这一问题。
详解
使用下图的电路作为例子说明。系统在开关的过程中，SW产生的dv/dt 通过弥勒电容Cgd，会导致gate产生电压，如果这个电压高于管子的开通电压，会导致管子误开通，会造成上下管短路，烧毁管子。
NSi66001MC集成弥勒钳位功能，NSi6601M可以检测到gate电压的变化，当gate产生的电压高压2V时，NSi6601M内部弥勒钳位功能将被开启，将dv/dt 通过Cgd产生的电流以阻抗路径释放到VEE，在gate电压钳位到足够低的电压，防止下管Q2误开通。
简化应用电路图
NSi6601M隔离耐压高，宽体SOW8封装Vpk 高达2121V，同时CMTI抗干扰能力超过150kv/us，非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。
送样
NSi66x1A/NSi6601M系列产品均可提供样品，如需申请样片或更多信息敬请访问www.novosns.com。
