如何使用有源米勒钳位电路来减轻寄生效应

    本应用笔记介绍了由于米勒电容器引起的寄生导通效应，以及如何使用有源米勒钳位电路来减轻寄生效应。在操作IGBT时面临的常见问题之一是由于米勒电容器而导致的寄生导通。在0至+15 V型栅极驱动器（单电源驱动器）中，这种影响是明显的。

    介绍

    使用IGBT时，面临的常见问题之一是由于米勒电容器而导致的寄生导通。在0至+15 V型栅极驱动器（单电源驱动器）中，这种影响是明显的。由于这种栅极-集电极耦合，在IGBT关断期间产生的高dV / dt瞬变会引起寄生导通（门极电压尖峰），这有潜在的危险（图1）。

    通过米勒电容器的寄生导通：

    当以半桥方式导通上部IGBT S1时，下部IGBT S2两端会发生电压变化dVCE / dt。电流流过S1的寄生米勒电容器CCG，栅极电阻RGATE和内部栅极电阻RDRIVER。图1显示了流过电容器的电流。该当前值可以通过以下公式来近似：

    该电流在栅极电阻两端产生电压降。如果该电压超过IGBT栅极阈值电压，则会发生寄生导通。应该注意的是，IGBT芯片温度升高会导致栅极阈值电压略有降低。