使用REF1112分路调节器(像齐纳二极管,但为低压),在运算放大器输入端形成参考电压。通过R2反馈重复形成相同的电压。由于漏电流实际与源电流完全一样,因此这样便得到输出电流。工程师们更喜欢“看图片”,因此我鼓励你们阅读并理解该图中的一些注释。图2所示图形模拟显示了这种电路的恒流输出电压范围。电压源Vs从0V上升至30V。在这种情况下,负载电压VOUT与Vs相同,即为MOSFET漏极的电压。需要注意的是,由于Vs从0V增加至1.2V,输出电流Iout也稳定上升。在这一范围,其电压并不足以实现正常的运行。一旦Vs刚好达到1.2V以上,则电流以1.25mA预期值进行调节,从而保持30V恒定电压。1.3V到30V为该电流阱的恒流输出电压范围。模拟过程在30V时停止,即所选MOSFET的额定电压。使用更高电压的MOSFET和更高的电源电压,会极大增加该电流阱的恒流输出电压范围。
电流源电路的类型数不胜数。所有这些电流源电路都有其恒流输出电压范围限制。仔细思考,小心操作,您就可以选择正确的电流源类型,并对其进行优化,得到您需要的恒流输出电压范围。
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