Littelfuse, Inc.宣布今日推出双向瞬态抑制
二极管阵列（SPA 二极管）系列的首款产品，该系列产品旨在保护高端消费
电子产品和可穿戴电子产品免因破坏性静电放电损坏。 SP1333系列中的首款
瞬态抑制二极管SP1333-01UTG具有3.3V击穿电压， 采用专有硅雪崩技术，将背对背二极管组合在一起。 这种背对背配置可提供高达±30kV的ESD对称数据线保护，安全吸收反复性ESD震击，同时避免性能减退。 低钳位电压使SP1333系列能够耐受>5A的浪涌电流，为保护的电子设备延长使用寿命。
SP1333系列瞬态抑制二极管阵列
SP1333系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括：
·
手机/
智能手机
· 便携式医疗设备
· MP3/PMP设备
· 便携式导航设备
· 小尺寸
· 平板电脑
· 销售点终端
“SP1333系列对我们采用紧凑型0201封装的瞬态抑制二极管阵列产品组合形成了补充，该产品组合现已覆盖从3.3V至36V的整个击穿电压范围。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列业务开发经理Tim Micun表示。 “这一产品线的增加提高了我们对市场的服务水平，使Littelfuse成为电子市场的保护来源。”
SP1333系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势：
· 低电容（每个输入/输出端口仅为10pF）有助于保持信号完整性，并限度地减少数据丢失。
· 极低（<50nA）寄生漏电得到优化，以延长使用寿命。
· 通过结合高(>5A)浪涌容差和±30kV ESD保护，针对电气威胁提供更加可靠的保护。
