村田推出可薄至100μm的引线键合/嵌入用硅电容器

　　依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器，厚度仅为100μm（也能根据要求薄至80μm），对于需要去耦特性的设计人员而言，这是适合嵌入用途的解决方案。

　　依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器，厚度仅为100μm（也能根据要求薄至80μm），对于需要去耦特性的设计人员而言，这是适合嵌入用途的解决方案。
　　EMSC被优化为多层基板封装、刚性/柔性PCB、FR4、陶瓷、玻璃、引线框架或金属薄片的平台。硅电容器技术，提供电容器集成功能（250nF/mm2），与现有解决方案相比，可以更加小型化。村田的技术，与钽和MLCC等替代的电容器技术相比，可靠性达到后者的10倍，不会发生开裂现象。半导体（硅）技术，在工作电压和工作温度的整个范围内，静电容量极其稳定，并稳定保持高绝缘电阻。这项以硅为基础的技术符合RoHS标准，可以进行无铅回流封装。