嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的

　　如今，除了逻辑元件和其他专用电路元件外，典型的微控制器 （MCU） 包括用作工作存储器的 SRAM 和用作储存存储器的闪存。当前业界遇到的闪存问题是，要将浮栅 （FG） 的制造工艺对逻辑门性能的影响降到（图 1）。为此，制造商通常会使用多达 10 个的额外掩膜层，这必然会增加其复杂性和成本。在 《28nm 的节点， 逻辑部分的工艺将迁移到高 k 栅介质/金属栅极（HKMG），由于 HKMG 的热预算有限，将导致工艺集成更为复杂。
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　　另一方面，在后端工艺 （BEOL） 中集成自旋转移矩 MRAM （STT MRAM） 较为容易，只需要3个额外的掩膜。此外，与 STT MRAM 相比，闪存的能耗较大。STT MRAM 具有前景的特性（快速、非易失性、低功耗和在低温下易于实现 BEOL 集成）使大多数主要逻辑和存储器厂商开始逐步开发 STT MRAM 技术。除 MCU 外，由于 STT MRAM 可以实现相比于 SRAM 更高的密度，STT MRAM也正在被开发用于取代 SRAM，用作 《10nm 节点的级缓存。
　　STT MRAM 的每个存储单元都由磁隧道结 （MTJ） 组成，其基本的形式是由夹在两个磁性薄膜（约 10-30 厚的 CoFeB）间的薄介质隧穿势垒膜（约 10? 厚的 MgO）组成。在 MTJ 堆叠中实际有许多额外的薄膜层，并且自 2007 年以来已作为硬盘驱动器 （HDD） 中的读取传感器进行制造。
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　但是，针对 HDD 中单独的 MTJ 器件与 STT MRAM 中垂直 MTJ （pMTJ） 器件阵列的要求是完全不同的。关于pMTJ 薄膜堆叠层沉积和蚀刻工艺设备的创新对于制造密度/性能有竞争力的 STT MRAM 至关重要。此外，即将生产 STT MRAM 的存储器制造厂晶圆初始的产量比 HDD 磁头制造厂高 10-20 倍，因此在设计设备时，设备的正常运行时间是要考虑的关键因素。
　　应用材料公司已在公司的 Endura 平台上针对 pMTJ 堆叠层沉积（具有可控微观结构、清洁界面和sub-? 的多层薄膜）开发出多阴极 PVD 室以及各类原位热处理室。此外，还针对蚀刻 pMTJ 阵列开发了用于密集阵列中非易失性磁性材料的特别蚀刻技术。［1］
　　为了评估 pMTJ 沉积和蚀刻设备的性能，在梅丹技术中心设计并制造了 1R pMTJ 阵列测试芯片。存储单元尺寸 130nm x 130nm（图 2）等同于 28nm 节点处的 22F2，相当于约 1Gb 密度。这些测试芯片已在高通公司进行过电性分析，结果也在2015和2016的国际电子元件会议（IEDM）中共同发表。［2， 3］下列段落中讨论的这些结果，着重关注使用 Endura PVD 系统和特别蚀刻技术制造的 pMTJ 阵列性能。
　　一个关键的性能指标是蚀刻后 MTJ 阵列的 TMR%（隧道磁电阻）。对于间距为 130nm 和 50nm 直径的 pMTJ 阵列，平均 TMR 约为 150%

（图 3）。电阻（RP）的西格玛/平均值 《8%。这两个数值都表明蚀刻过程中的蚀刻损伤极小。通过优化 pMTJ 堆叠层中的自由层 （FL） 材料，在阵列中可获得低至约 90uA 的P-AP 翻转电流（35ns 翻转脉冲。

　　，通过优化 MgO 沉积室的设备硬件设计，可使约 10? MgO 隧道势垒层的击穿电压从约 1.2V（标准）显着提高到约 1.5V（改进后）。如我们的工作中所演示，这对于提高耐用性至 》1015 个写入周期至关重要。［3］我将在下一篇博客中进一步探讨这个问题。

　　1. Lin et al.， IEEE Trans of MagneTIcs， vol. 51 2015 p4401503
　　2. Park et al.， 26.2， IEDM 2015
　　3. Kan et al.， 27.4， IEDM 2016
　　1. Lin 等，IEEE Trans of MagneTIcs，vol. 51 2015 p4401503
　　2. Park 等，26.2，IEDM 2015
　　3. Kan 等，27.4，IEDM 2016
　　Mahendra Pakala
　　Mahendra Pakala 负责 STT MRAM 的开发工作，包括磁隧道结堆叠层和 MTJ 阵列制造工艺的技术路线图。他拥有辛辛那提大学材料科学的博士学位，并已获得 30 多项。