EPC推出采用EPC氮化镓（eGaN）技术的150安培开发板

　　宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150  A大电流脉冲激光二极管的驱动演示电路板(EPC9126HC)。面向全自动汽车应用的激光雷达系统需要制作三维地图，因此，侦测四周的目标物件的速度及准确性变得非常重要。从EPC9126HC演示电路板可以看到，与等效MOSFET相比，具备快速转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN  FET)所提供的脉冲功率可以快十倍的速度驱动激光二极管，从而提升激光雷达系统的整体性能。

　　EPC9126HC开发板主要驱动激光二极管，备有参考接地的氮化镓场效应晶体管(EPC2001C)。该晶体管由德州仪器公司的UCC27611栅极驱动器驱动。EPC2001C的电压为100  V，可驱动高达150 A脉冲电流。EPC9126HC开发板给高功率triple-junction激光二极管的驱动电流高达75 A，其脉宽可以低至5  ns。

　　开发板为装贴激光二极管所需，提供多个可选并具备超低电感的连接，以及可利用电容器放电(装运时配备)，或由电源总线直接驱动二极管。开发板并没有包含激光二极管，它需要由使用者提供，从而对不同的应用进行针对性的评估。

　　PCB的设计是把功率环路电感减至而同时保持装贴激光二极管的灵活性。板上备有多个无源探头(passive  probe),可测量电压及放电电容器的电流，以及备有为50 Ω测量系统而设的输入及传感器的SMA连接器。此外，使用者可使用可选的高窄脉冲发生器。

　　，EPC9126HC可以在其它采用参考接地的eGaN FET的应用中发挥其效能，例如Class E或其它相同的电路。