讲讲如何提升反激式开关电源的轻载效率

　　现如今家用电器、视听产品越来越普及，加之办公自动化的广泛应用和网络化的不断发展，越来越多的产品具有了待机功能。这些新产品、新技术在极大方便我们生活的同时，也造成了大量的能源浪费。大家都知道“能源之星”，欧美以及亚洲各国都有各自的一些规范标准，在致力于提升这些设备所用电源工作能效的同时，也注重提升轻载能效和降低待机能耗。
　　闲话少说，我这里是想讲讲对于一个反激式开关电源而言，我们可以通过以下几个方面来提升轻载效率和待机功耗：
　　表1. 轻载能耗标准

　　1. 开关MOSFET的损耗通常可以分为导通损耗、开关损耗、驱动损耗等。前两种是MOSFET的主要损耗。在轻载和空载情况下，原边电流的峰值和有效值都会明显降低，这时候的开关损耗是主导因素。而开关损耗与Vds电压、开关频率有着直接的关系。因此，减少MOSFET在轻载和空载时的损耗，可以通过使用QRC 模式的反激芯片和具有降频、间歇工作方式的芯片来实现；
　　2. 使用具有HV启动功能的芯片，这样可以避免启动电阻产生的损耗。另外，要选择合适的X电容泄放电阻；
　　3. 对反馈线路的优化。选择CTR高的光耦、低工作电流的基准431以及较大的输出电压取样电阻都可以一定程度的降低待机功耗。当然，同时也要考虑到对Dynamic的影响；
　　4. 对吸收线路的优化。传统的RCD嵌位线路会造成比较大的损耗，相对而言，使用TVS嵌位也可以提升轻载能效和待机功耗；
　　此外，使用ZFB比较大的芯片，以及优化变压器的设计也会起到一定的积极作用。
　　总之，提升反激式开关电源的轻载能效及降低待机功耗，需要对反激式拓扑线路做详细的分析，抓住每一个损耗的源头，一点一滴的累积并提高，才能限度的满足日益严格的需求。