基于PN8305的六级能效充电器套片方案

　　芯朋微热门产品PN8305M/H同步整流转换器，与该公司PSR产品PN8386配合使用，轻松实现5V3A六级能效电源方案。

　　1.封装及脚位配置图
　　PN8386封装及脚位配置图

　　PN8386集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。
　　PN8305封装及脚位配置图

　　PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。
　　2.PCB及DEMO实物图

　　3.方案典型应用图

　　4.方案特性
　　·PCBA尺寸：42.5mm*41.3mm*20mm
　　·输入电压：90~265Vac全电压
　　·输出电压：5V
　　·输出电流：3A
　　·平均效率：≥81.4%(满足六级能效要求)
　　·高压启动待机功耗<75mW
　　·启动时间：<200ms(90Vac)
　　·拥有输出短路保护，输出过流保护，输出欠压保护(PCB端3.1V以下)，VDD过压保护，FB分压电阻开路短路保护，以及电流检测电阻Rcs开短路保护，过温保护。
　　5.测试数据

　　备注：在CC工作状态下且系统PCB电压低于3.1V时，PN8386会进入保护状态。
　　6.EMC测试
　　·EMI传导、辐射满足EN55022 Class B标准要求，裕量均大于6.0dB
　　·ESD满足IEC61000-4-2，8kV/15kV等级要求
　　·EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求
　　·Surge满足IEC 61000-4-5:2005，1kV等级要求
　　·交流绝缘满足3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求
　　7.应用要点

　　PN8386工作在DCM模式，忽略传输瞬态Tr和Tf，导通时间、去磁时间和振荡时间分别为：

　　PN8386在T2时间内间接采样输出电压信号，为减小漏感振荡对采样的影响，T2时间应足够长(5V3A应用建议大于3.2us)：

　　备注：电源在小负载工况下，PN8386的Vcs=0.17V以避免音频噪音。
　　PN8305须在T2时间内完成Trench MOSFET的开通和关断，其导通时间由RT电阻设定：

　　因此，RT电阻建议取值为：