瑞萨提供业内MCU 28nm制程片上闪存IP

　　导读：日前，瑞萨电子株式会社开发出一款28nm制程工艺的微控制器闪存工艺，此款28nm制程片上闪存IP是为满足MCU搭载的控制系统精密程度而开发出的高可靠性新型IP.

　　随着现代发动机油耗不断降低，要求新型控制机制能够对应新式燃烧方法的引入以及小型化所带来的进一步系统升级，这就需要在在提高性能的同时，还要降低能耗。而瑞萨一直致力于28 nm制程原型的研发，其外形较现有的40 nm制程更为精细。其新研发的MCU用28nm闪存IP能够支持16MB以上的片上闪存容量，是一种提高闪存集成密度以及扩充集成在单个芯片上的外设功能的方法。

　　28nm片上闪存IP具备高度读出性能，能够执行如发动机控制等复杂的实时处理功能；可使数据保留时间长达20年之久，作为数据存储闪存使用时，其重写循环次数可达到250,000次；采用更为精细的制程后，容量在16 MB以上，逻辑电路中包含的高速/低功率晶体管的数量约为早先瑞萨40 nm制程的两倍，可为对可靠性提出高标准要求的汽车及其它行业提供以上设计优势。以满足高速读出、高可靠性、更大容量的需求。

　　瑞萨利用MONOS结构闪存的可扩展性成功地创建了既的缩减了产品的外形尺寸，又维持了闪存的性能及可靠性，从而使集成在闪存MCU中的存储器的容量和性能均得到同步提升，完成了业内MCU 28 nm制程片上闪存IP的开发。