导读：意法半导体（简称“ST”）日前发布三款先进的高压功率MOFET系列产品，此系列产品具有高达650V和800V电压运行所要求的隔离通道长度和间隙，采用的PowerFLAT封装比主流的DPAK封装缩小52%.
据悉，ST的三款先进的高压功率MOFET系列产品是将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOFET系列产品中，不仅提高了管子的高压输出能力，而且让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等注重节能的设备变得更紧凑、更稳健、更可靠。
除此之外，ST的三款先进的高压功率MOFET系列产品还配备一个裸露的大面积的金属漏极焊盘，通过印刷电路板上的散热通孔限度地排热。
目前，ST现已推出三款采用PowerFLAT 5x6 HV封装的650V MDmesh V MOSFET产品，还将推出四款额定电压极高的采用PowerFLAT 5x6 VHV 800V封装的SuperMESH 5 MOSFET.
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