功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR） 推出新一代绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 技术平台。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装，并采用IR新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。
全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值，加上1.7V典型VCE（ON） 和10μs短路额定值，能够减少功耗，有效增加功率密度并带来卓越的耐用性。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR通过开发全新基准技术及的IGBT硅平台，彰显其数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达实现百分百变频，从而更有效地使用电能，并且绿化环境。”
新技术为电机驱动应用提供更理想的软关断功能，通过尽量降低dv/dt来减少电磁干扰和过压情况，有助于提升可靠性及耐用性。该平台的参数分布狭窄，在进行多个IGBT并联时便可带来出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热阻，还可达到175°C的结温。
潘大伟指出：“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越的技术。该IGBT平台凭借的VCE（ON）、卓越的耐用性及的开关功能，使工业市场所面临的难题迎刃而解。”
产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 （RoHS）。
规格
免责声明: 凡注明来源本网的所有作品，均为本网合法拥有版权或有权使用的作品，欢迎转载，注明出处。非本网作品均来自互联网，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。
