ST推出高性能高整合的宽频RF合成器

　　随着无线标准和频带支援越来越多的应用，意法半导体（STMicroelectronic；ST）推出更符合高性能和高整合度市场需求的STW81200 RF合成器。新款STW81200 RF合成器采用BiCMOS （SiGe）制造技术，单晶片整合宽频电压控制震荡器（VCO）、双架构相位锁定回路（PLL）、低杂讯稳压器，以及符合各种RF要求的可程式硬体选项。

　　在基地台、无线电链接（radio link）、卫星、通讯、量测等应用中，系统的总体性能与RF合成器的相位杂讯（phase noise）密切相关。这些应用需要高整合度和化的成本，同时又不能牺牲RF性能。在满足这些要求过程中，作为市场上灵活度的RF合成器，STW81200 可支援多频多标准及软体定义（software-defined）的50MHz到6GHzRF输出，同时提供-227 dBc/Hz正规化频内相位杂讯层，当通讯载波为4.0GHz、频率偏移1MHz时，电压控制震荡器相位杂讯为-135 dBc/Hz，相位杂讯层为-160 dBc/Hz。

　　5V、3.6V或3.0V非稳压单电源让STW81200在市场上，经化的功耗和性能使其应用范围从传统市电供电基础设备扩至以电池供电的可携式装置。

　　已获市场认同的STW8110x系列产品不断演进，新RF合成器的性能和灵活度也越来越高，在同一电路板设计上可支援多频和多RF标准（logistic）。此外，更高的整合度和降低的材料成本可望为客户节省更多资金。

　　STW81200的设计符合RFRF 基础设备范例的要求。

　　STW81200已进入量产。意法半导体现可提供采用6x6四边扁平封装的STW81200评估工具样品。