据Intel介绍,HET包含有Intel自己开发的固件、Intel控制器和高循环次数NAND.这种技术结合了NAND硅增强性能和独特的固态硬盘NAND管理技术,可扩展基于MLC的固态硬盘的写入耐用性,实现的耐用性和操作性能。
固态硬盘(Solid State Drives),简称固盘,是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,其芯片的工作温度范围很宽,商规产品(0~70℃)工规产品(-40~85℃)。虽然成本较高,但也正在逐渐普及到DIY 市场。由于固态硬盘技术与传统硬盘技术不同,所以产生了不少新兴的存储器厂商。厂商只需购买NAND存储器,再配合适当的控制芯片,就可以制造固态硬盘了。固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同,在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。
我们对Intel的200GB 710企业级固态硬盘(SSD)的主要兴趣是,产品设计重点主要放在耐用性、可靠性和功效上。而将多层单元(MLC)NAND闪存用作主存储部件也值得关注。Intel将固态硬盘中的这种MLC NAND实现称为高耐用性技术(HET)。Intel HET固件增强方面除了一般的工业纠错码(ECC)标准外,还包括优化的错误避免技术、写入放大率抑制算法以及系统级错误管理功能。
单层单元(SLC)闪存通常是企业级固态硬盘的更理想选择,因为从一个单元读取一个比特的误差率非常低,而且耐用性也很高。而多层单元(MLC)闪存存在更高的误码率,因此让人感觉耐用性也低很多。然而,业界一直致力于研究在企业级固态硬盘中使用MLC闪存,因为它们可以提供更大的存储容量,降低生产成本。
通过HET实现,Intel想到了一种实现更具可靠性的MLC闪存的方法,它基于这样一个事实:一个批次中并不是所有MLC闪存芯片都具有相同的特性。一些芯片可能具有更高的读性能和更好的数据保持质量,对这些特性的理解成为了Intel在710固态硬盘中将MLC NAND闪存用作HET的主要原因。
1.20个MT29F16B08CCME1 NAND MLC集成电路,以镜像方式安装在电路板的正反面,实现了存储容量高达200GB的Intel 710固态硬盘。
每个NAND闪存器件封装包含两个堆叠的64Gb、25nm L74A NAND闪存裸片,因此每个封装容量为128Gb.总的闪存容量实际上是320GB,因此具有很高程度的预留空间。
2.系统存储控制器使用了一个512Mb的海力士H55S5162EFR移动SDRAM.Intel使用移动SDRAM的决定是很有意义的,因为它能提供要求的性能等级,同时又能限度地降低功耗。这里降低功耗很重要,因为在硬盘工作时DRAM具有很大的处理工作量,特别是在企业级应用中。
3.并联使用了6个470μF的电容,可以存储要求的紧急电量,并在发生电源故障时让硬盘有足够长的时间退出正在进行的操作。总容量接近2.8mF.这种方法不仅能在短时间内给硬盘提供足够的电能,而且不会占用很大的电路板空间。
4.这种固态硬盘使用了Intel的PC29AS21BA0控制器。其它Intel固态硬盘也使用这种控制器,但很可能固件得到了更新,使得它特别适合710硬盘的使用情况。
ONFI的使用
我们把一个Intel 29F16B08CCME1 25nm MLC NAND闪存器件连接到了我们的闪存测试仪。测试表明,这种器件兼容开放NAND闪存接口(ONFI)规范。器件返回的详细ONFI参数字节(详细的器件参数和支持功能列表)表明,它支持ONFI版本2.2,并且支持控制器使用的各种异步操作。
ONFI规范描述了单独的I/O电源VCCQ选项,电压低至1.8V,在Intel 710固态硬盘中这个电源已经实现。因此,I/O总线工作时的功耗要显着小于VCCQ电源为3.3V VCC时的功耗。
在固态硬盘读写操作时监视NAND闪存器件的引脚可以观察控制器与闪存的交互操作。控制器具有高度的并行运行机制,其多平面操作可直达每个裸片,并对所有闪存器件保持一个有组织的和平均分布的数据写入。
Intel 710固态硬盘中采用的辨别和使用高质量MLC NAND闪存的创新方法,加上断电时的可靠性、非常大容量的预留空间以及降低的功耗,使得Intel 710成为一种独特且创新的企业级固态硬盘,可进一步增强企业级和消费级存储器之间的区别。
终上所述,此款Intel 710企业级固态硬盘(SSD)产品设计重点主要放在耐用性、可靠性和功效上。而将多层单元(MLC)NAND闪存用作主存储部件。Intel将固态硬盘中的这种MLC NAND实现称为高耐用性技术(HET)。并且Intel HET固件增强方面除了一般的工业纠错码(ECC)标准外,还包括优化的错误避免技术、写入放大率抑制算法以及系统级错误管理功能。 因此被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。
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