MB85R4M2T:具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片

　　导读：近日，富士通半导体宣布推出一款全新的4 Mbit FRAM芯片--MB85R4M2T,新器件具备非挥发性数据储存功能，并且可与标准低功耗SRAM兼容，MB85R4M2T的推出取代了原有具备高速数据写入功能的SRAM.

　　富士通半导体近日宣布推出一款全新的4 Mbit FRAM芯片--MB85R4M2T,新器件具备非挥发性数据储存功能，并且可与标准低功耗SRAM兼容，MB85R4M2T的推出取代了原有具备高速数据写入功能的SRAM.

　　主要特点：

　　1）可与标准低功耗SRAM兼容；

　　2）具备非挥发性数据储存功能，随机存取功能则能高速写入数据；

　　3）在写入数据时即使在电源中断或是停电的状况下仍能保护数据；

　　4）能减少50%以上产品中所使用PCB基板记忆体与相关零件的电路板面积，以便更小型、更省电的硬设备；

　　5）为非挥发性的内存，无须任何电池即可持续地储存数据，有助于降低总成本。

　　MB85R4M2T可与标准低功耗SRAM兼容，具备非挥发性数据储存功能，随机存取功能则能高速写入数据。由于 FRAM 在写入数据时若面临电源临时中断或是停电，仍旧能够安全地储存数据，因此即使在电源中断时还是能够立即储存参数信息并实时记录设备上的数据数据。由于FRAM为非挥发性的内存，在电力关闭情况下不会耗费任何电力，无须任何电池即可持续地储存数据，不仅降低零件成本，也免掉了相关的周期性成本，大大降低了总成本。此外，MB85R4M2T能减少50%以上产品中所使用PCB基板记忆体与相关零件的电路板面积，以便更小型、更省电的硬设备。

　　主要应用：

　　●工业机械

　　●办公自动化设备

　　●医疗设备

　　●其他工业设备

　　供货情况：

　　MB85R4M2T采用44-pinTSOP封装，于2014年1月起开始为客户提供样品。