飞思卡尔推出AFT27S0系列两款全新射频功率晶体管

　　导读：日前，飞思卡尔半导体发布了AFT27S006N和AFT27S010N两款全新的射频功率晶体管，此两款新器件的推出在满足效率提升、峰值功率和信号带宽需求的同时，还能应对降低成本的持续压力，完美的成为Airfast射频功率解决方案。

　　大功率射频（RF）晶体管的飞思卡尔半导体日前发布了AFT27S006N和AFT27S010N两款全新的射频功率晶体管，此两款新器件的推出在满足效率提升、峰值功率和信号带宽需求的同时，还能应对降低成本的持续压力，完美的成为Airfast射频功率解决方案。

　　AFT27S006N和AFT27S010N中：AFT27S006N的峰值功率为6W,是继业界的主力驱动器MW6S004N产品后推出的新一代器件，频率范围为700 MHz至2700 MHz,单级增益为20 dB至24 dB,采用超小尺寸PLD-1.5W的封装；而AFT27S010N的峰值功率为10W,其频率范围与AFT27S006N一样都为700 MHz至2700 MHz,单级增益也为20 dB至24 dB,也是采用超小尺寸PLD-1.5W的封装。此两款新器件采用一个功率放大器便可支持700至2700MHz频段，覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段，非常适用于平均额定功率高达40 W的宏基站MIMO应用。

　　ABI Research研究总监Lance Wilson这样说，飞思卡尔Airfast器件产品组合的成员将继续采用该公司的协同方法，为无线基站提供现代化的功率放大器设计。

　　“飞思卡尔LDMOS工艺技术使我们全新的Airfast器件外形更加小巧，适用于所有主要蜂窝频段。此次推出的这些新产品是基于飞思卡尔对其射频器件进一步完善之后的作品之一。” 飞思卡尔半导体副总裁兼射频业务部总经理Ritu Favre这样表示。

　　飞思卡尔的AFT27S006N （6W）和AFT27S010N （10W）现已供货。