恩智浦推出业界首款高频率、低峰值性能的MOSFET-- NextPowerS3

　　导读：近日，恩智浦半导体（NXP）宣布推出NextPowerS3,一款全新高性能30V MOSFET平台，使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术。

　　NextPowerS3是业界首款能够提供高频率、低峰值性能的MOSFET,通常只有集成肖特基或类似肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，而且这种MOSFET没有令人烦恼的高漏电流问题。

　　肖特基二极管产生高漏电流（特别是在高温环境下），会影响效率、电池寿命和制造过程中的次品鉴别能力，但是恩智浦的NextPowerS3系列产品结合带软恢复功能的超快速开关性能，解决了所有这些问题，可提供更高的效率和更高的功率密度，同时能将电压尖峰保持在可控范围内，并将漏电流限制在1 μA以内。

　　功能特性

　　◇通过超低Qg、Qgd和Coss获得较高系统效率

　　◇降低开关节点电压尖峰

　　◇低EMI

　　◇特有的SchottkyPlus技术

　　◇集成式肖特基性能且无高漏电流

　　◇无焊线，无胶合

　　◇漏电流限制在1 μA以内

　　◇结温为175°C

　　“大家都知道肖特基二极管漏电流很严重，特别是在高温环境下。虽然通过设计有可能将漏电流控制在1 mA或2 mA左右，但的问题是因此带来质量的问题。因此，我们将漏电流作为推动零缺陷制造的重要指标。从一堆固有高漏电流的器件中找出缺陷器件就像在警报声中听清耳语一样困难。NextPowerS3的亚微安漏电流意味着恩智浦的产品不存在这种问题。” 恩智浦半导体MOSFET营销与业务开发总经理Chris Boyce这样说。

　　应用范围

　　通信和云端计算机所需要的高效率电源

　　高性能便携式计算机电源

　　电池供电式电机控制

　　可充电电动工具