瑞萨电子发布12款全新版本的旗舰SRAM

　　导读：日前，瑞萨电子推出了12款新产品版本的旗舰SRAM（静态随机存取存储器）产品， 这些产品属于RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E 系列先进低功耗SRAM（先进LP SRAM）。

　　据报道，作为的半导体及解决方案供应商，瑞萨电子株式会社日前推出的12款新产品版本的旗舰SRAM产品， 该产品属于RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E 系列先进低功耗SRAM（先进LP SRAM）。SRAM是LPSRAM的新系列，可提供和瑞萨电子现有150nm工艺的SRAM产品完全相同的可靠性。

　　主要特性：

　　（1）拥有高达4兆位（Mb）的密度

　　（2）采用极为精密的110 纳米（nm）线宽制造工艺

　　（3）具备消除软错误的功能

　　（4）具有闩锁效应的功能

　　（5）拥有低功耗工作特性

　　即将上市的SRAM是LPSRAM的新系列，可提供和瑞萨电子现有150nm工艺的SRAM产品完全相同的可靠性，该产品的待机电流在25℃时可保证不超过2 微安（μA），其低功耗工作特性使其适用于有备用电池供电设备的数据存储。

　　近期，随着用户系统性能和功能的逐步提高，SRAM已成为了提高整体系统可靠性的关键因素之一。瑞萨电子的低功耗SRAM已被广泛应用于多个领域，该公司在2012年占据同类产品市场份额位。

　　瑞萨电子的先进LP SRAM采用了独特的结构，其存储单元内的每个存储节点均拥有附加的物理电容，因此，具有极高的抗软错误能力。先进的LP SRAM采用结构化措施从根本上预防软错误出现。另外，SRAM单元负载晶体管（P沟道）为多晶硅TFT,堆叠于硅衬底的N沟道MOS晶体管之上。因此，在硅衬底下方仅形成N沟道晶体管。这样可确保存储区内不形成寄生晶闸管，并从理论上杜绝闩锁效应。

　　SRAM所具备的特性使得先进LP SRAM相比使用传统存储单元结构的全CMOS型产品可实现更高水平的可靠性。针对工厂自动化设备、测量设备、智能电网设备和运输系统等需要严格保证高水平可靠性的应用环境，先进LP SRAM 可实现更的性能和可靠性。

　　此外，先进LP SRAM结合了SRAM多晶硅TFT堆叠技术和堆叠电容技术，可有效减少存储单元体积。 瑞萨电子还计划进一步扩充 110纳米SRAM的产品阵营，加入8 Mb和64 Mb的110纳米产品。

　　应用领域：

　　●工业领域

　　●办公领域

　　●通信领域

　　●汽车领域

　　●消费品领域

　　供货情况：

　　瑞萨电子新款SRAM的样品将于2013年11月发布，样品定价为7美元。

　　SRAM的大规模生产预计将于2013年12月启动。